金融界2024年10月24日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种降低栅极振荡的SiC MOSFET器件及制备方法”的专利，公开号CN 118800661 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种降低栅极振荡的SiC MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。在SiC MOSFET器件内部的栅极Gate Pad区通过淀积介质层以在内部串联一介质电阻层，从而提高器件内部的栅极电阻，但由于栅极电阻会增加器件的开关损耗，因此过大的栅极电阻也会影响器件使用。而本发明的介质电阻层可以通过调节厚度来改变电阻值，从而可根据实际设计需求来改变厚度，从而削弱振荡能量，避免器件发生误开启。