金融界 2024 年 8 月 20 日消息，天眼查知识产权信息显示，龙腾半导体股份有限公司取得一项名为“一种超结高压器件结构及制造方法“，授权公告号 CN114464534B，申请日期为 2021 年 12 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种超结高压器件结构及制造方法，属于半导体分立器件技术领域，解决了现有技术中超结 MOSFET 器件雪崩击穿时寄生 BJT 引起的二次击穿效应的问题。本发明具体技术方案为，通过在超结高压器件的 trench Gate 之间增加了并联的二极管结构，且此二极管结构采用了逆向的浓度掺杂分布，形成两个间隔的 P+区以弱化轻掺杂 P 型区的电场。本发明改善了超结 MOSFET 二极管导通状态下的注入效率，减少了少子注入，反向回复时间和反向回复电荷都得到有效降低；一定程度上避免了寄生 NPN 结构的开启导致的雪崩耐量降低，提高了抗浪涌能力。